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半导体专用设备
 

 
半导体专用设备
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LPCVD化学气相沉积设备



简单描述:
★设备用途:Si3N4、Poly-Si、SiO2薄膜生长的薄膜制备。
将原材料气体(或者液态源气化TEOS)热能激活发生化学应用而在基片表面生成固体薄膜。在低压下进行,由于气压低,气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好,采用竖直放片,装片量大,适合于工业化生产。一次设定自动完成,可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。
★设备特点:
1. 计算机自动控制“工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力等程序;
2. 闭环控制,采用进口压力控制系统,稳定性高。
3. 管件、阀门采用进口耐腐蚀不锈钢,气路气密性长期可靠。
4. 工艺管、真空系统密封可靠安全指标高。
5. 反应气体分子送气和族射送气,避免气相反应产生
6. 报警功能及安全互锁装置设置合理,设备安全性能指标高。
7. 控制面板有良好的人机界面,灵活的工艺性能,使用更加方便。
★主要技术指标:
制备2-6吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜
装片数量:25~100片/炉管
温度300-900℃(根据客户工艺订制)
恒温区760 mm±0.5℃
温度梯度:0~30℃/500mm(可调)
系统极限真空度:0.8Pa
工作压力范围: 27Pa~133Pa(可调)
淀积膜均匀性:Si3N4   ±3%
淀积膜均匀性:Poly-Si ±4% 
淀积膜均匀性:SiO2    ±5%
适用硅片尺寸:2-6)
真空系统机械泵+罗茨泵,配有抽气冷井
控温器采用进口10-15吋触摸屏
通入气体SiH4、NH3和N2
进口质量流量计控制
阀门用进口气动阀和减压阀
动作顺序为PLC编程控制
薄膜压力控制器加阀闭环控制压力。
 
全国免费咨询电话:400 0532 778    总经办电话:13805320424
 
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