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半导体专用设备
 

 
半导体专用设备
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砷化镓单晶合成炉


晶体材料生长设备
VGF 、HB 、HGF 、VB产品特点:
★用于GaAs等化合物晶体的生长         
★按结构形式:垂直生长,水平生长
★按生长方式:梯度生长及移动生长        
★晶体生长尺寸::2-6寸
★设备分类:HB 、HGF 、VGF 、 VB     
★提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。
主要技术指标:
★结构型式:单管水平式,加热炉体可左右移动    
★适合2~4″晶体生长工艺(可定制)。
★炉体有效加热长度:1600mm            
★最高工作温度:1300℃
★恒温区精度(静态闭管):±0.5℃
★升温速率(室温~1260℃):斜变升温速率可控在0~15℃/min
★降温(1300℃~900℃):0~5℃/min         
★供电电源:三相五线~380V±10% ,50Hz
 
全国免费咨询电话:400 0532 778    总经办电话:13805320424
 
EMAIL:qdyuhaodz@126.com     网址:www.qdyuhao888.cn
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