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半导体专用设备
 

 
半导体专用设备
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单晶脱氧炉


用途
此设备实用与2—4英寸砷化镓脱氧的完善设备,全自动控制系统,手动操作(可进行2-4 英寸GaAs脱氧工艺)。
主要技术指标
♦外型形式:单管卧式结构
♦最高设计温度:1000℃
♦使用温度范围:100℃——1000℃
♦恒温区长度:600mm。
♦工艺石英管外径: 2-4寸 。
♦温度控制:育豪研发YH-8500系统(全自动触摸屏控制)
♦恒温区精度:≤±1℃/600mm(工作范围内)
♦单点温度稳定性:≤±1℃/24h
♦温度重复性:≤±1℃/24h
♦斜变能力:最大可控升温速率15℃/min,最大可控降温速率:5℃/min
♦总功率:20KW。
♦保温总功率:低于9KW。
♦Spike外控温热偶:K分度.
♦工作真空度:≤10X10-4Pa
♦密封性能:漏气率≤1X10-7Pa·m3/s
♦真空机组:初级泵采用机械泵,二级泵采用无油分子泵
♦真空阀门:全自动电磁真空蝶阀
♦气路系统气密性:1X10-7 Pa·M3/S
♦报警系统:超温报警、断偶报警、真空故障报警、真空室压力异常报警、
♦控制方式:程序控制温度(整套采用触摸屏控制)
♦电源:二相三线220V。
♦预留一路放气口。
 
全国免费咨询电话:400 0532 778    总经办电话:13805320424
 
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