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氢氧合成扩散炉
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产品详情
一．设备概述：
本设备主要用于集成电路、电力电子等行业的关键电子专用设备，氢氧合成是将3-6英寸硅片放置于氧气或水蒸气的氛围中进行高温热处理，在硅片表面形成氧化膜的过程，氧化工艺是集成电路工艺中应用最广泛的基础工艺之一，氧化膜的用途广泛，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层等制程湿氧工艺，采用电脑工控机软件控制方式，是其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。
二．设备类型参数：
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方式：
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左/右手操作方式，大工作台面（侧面采用高效净化）
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可配工艺管数量：
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1-5管系统
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净化台洁净度：
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100级（10000级厂房）
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气体流量控制：
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均用MFC控制
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气路流量设定精度：
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±2%FS
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送取片方式：
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自动推拉,采用Sic浆推拉舟,软着陆方式
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推拉杆行程
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1800mm-2100mm
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速度：
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20mm-1000mm/min
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承重：
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≥15kg
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冷却系统：
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水冷2-4Kgf/cm2，8L/min；＋上接排风冷≈25m3/min；
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使用类型：
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3-6寸炉管
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可加工硅片尺寸
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3-6英寸
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工作温度：
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500～1100℃
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炉管有效口径:
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￠150-240mm
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总功率：
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15-28KVA（单管） 保温功率：8-15KVA
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三相五线制：
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380V±10%，50Hz±10%，次级线不小于35平方高温线
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报警:
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具有超温报警，断偶报警，气体互锁，气体缓启动等功能
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恒温区长度及段数：
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800-1100mm（3-5段控温）
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控温精度：
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±1℃（≧1100℃）
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单点温度稳定性：
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±1℃/12h
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控温方式：
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工控机 + PLC控制 + 触摸屏
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热偶类型:
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热电偶采用S/R型，每管Spike 4-10支热偶
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最大可控升温范围：
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(600～1100℃)0--15℃/min
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最大可控降温范围：
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(1100～600℃)0--10℃/min
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设备总外形尺寸：
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根据设备配置不同,尺寸有所不同
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三．主要构成：
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1、
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设备主机
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2、
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加热系统
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3、
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排风冷却系统
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4、
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排毒箱（和设备主机做为一体）De
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5、
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净化工作台
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6、
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控制系统
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7、
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自动石英浆推拉舟机构
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8、
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点火系统
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四．设备主要特点和优势
1★具有强大的软件功能，友好的人机界面，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；
2★采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；
3★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间；
4★具有多种工艺管路，可供用户方便选择；
5★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰；
6★推拉舟控制采用高速脉冲闭环控制，避免马达丢步，运行颤抖现象。推拉舟运行完一个周期，自动校准位置，有效防止定位偏差；
7★气体流量采用数字化精确控制，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，各种数据交互采用标准总线，提高抗干扰能力，保证数据安全；气体打开具有缓启动功能；
8★具有多种报警功能及安全保护功能；
9★恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度；
10★压力自动调整技术，将压力参数引入晶体硅扩散/氧化/氢氧合成工艺，有效减小了尾部排风对工艺的干扰，减小由排风引起的工艺波动。
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