立式氧化炉设备可应用于集成电路、分立器件、 POWER、 MEMS等多种领域，适用于6-12英寸晶圆芯片的高温干/湿氧化、DCE氧化、掺氮氧化、扩散、GPP、退火、合金等工艺。

氧化工艺是将硅片放置于氧气或水蒸气的氛围中进行高温热处理，在硅片表面形成氧化膜的过程，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层、表面钝化、器件结构的介质层等。

该设备系统是一个立式单室炉管，过程处理高度自动化。它主要包括主机、电源柜、气路柜、加热系统、传动系统等部件。

二、设备参数类型：

三、设备主要特点和优势

1★具有强大的操作功能，windows界面，显示屏操作，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；

2★采用可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；

3★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间；

4★具有多种工艺管路，可供用户方便选择；

5★推拉舟控制采用高速脉冲闭环控制，避免马达丢步，运行颤抖现象。推拉舟运行完一个周期，自动校准位置，有效防止定位偏差；

6★气体流量控制精确，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，各种数据交互采用标准总线，提高抗干扰能力，保证数据安全；气体打开具有缓启动功能；

7★具有多种报警功能及安全保护功能；
8★恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度；