一、设备概述：

主要应用于 3-6 英寸磷化铟、磷化镓III-V 族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺，自动控制系统。

二、设备参数类型：

三、设备主要特点和优势

1★具有强大的操作功能，windows界面，显示屏操作，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；

2★采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、气体流量、阀门等进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；

3★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间；

4★气体流量采用高压阀精确控制，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，气体打开具有缓启动功能；

5★具有多种报警功能及安全保护功能；
6★恒温区自动调整，可准确控制反应管的实际工艺温度；