立式真空扩散炉设备可应用于集成电路、分立器件、功率半导体芯片、电力电子、POWER、 MEMS等多种领域，适用于4-8英寸晶圆芯片的镓扩散、GPP、退火、合金等工艺。

镓扩工艺是在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按要求的深度掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成半导体器件结构的目的。可用于制作PN结或构成集成电路中的电阻、电容、二极管、功率半导体芯片和晶体管等器件。

二、设备参数类型：

三、设备主要特点和优势

1★具有强大的操作功能，windows界面，显示屏操作，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；

2★采用可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；

3★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间；

4★具有多种工艺管路，可供用户方便选择；

5★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰；

6★推拉舟控制采用高速脉冲闭环控制，避免马达丢步，运行颤抖现象。推拉舟运行完一个周期，自动校准位置，有效防止定位偏差；

7★气体流量控制精确，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，各种数据交互采用标准总线，提高抗干扰能力，保证数据安全；气体打开具有缓启动功能；

8★具有多种报警功能及安全保护功能；
9★恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度；