LPCVD低压化学气相淀积设备是半导体集成电路制造的重要工序之一，本设备主要用于：4-8英寸硅片SiO2-LTO TEOS、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、BPSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅薄膜的生长。它是将原材料气体（或者液态源气化）用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜。低压化学气相淀积是在低压下进行的，由于气压低，气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好,而且基片可以竖放而装片量大，特别适用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的工业化生产专用设备，采用电脑工控机软件控制方式，是其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。

二．设备类型参数：

三、设备主要特点和优势

1★具有强大的操作功能，windows界面，显示屏操作，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；

2★采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门等进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；

3★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间；

4★具有多种工艺管路，可供用户方便选择；

5★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰；

6★推拉舟装载采用SIC悬臂浆，避免与工艺管摩擦产生粉尘，推拉舟运行完一个周期，自动校准位置，有效防止定位偏差； 

7★气体流量采用数字化精确控制，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，各种数据交互采用标准总线，提高抗干扰能力，保证数据安全；气体打开具有缓启动功能；

8★具有多种报警功能及安全保护功能；
9★恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度；